序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | ICPCVD(电感耦合等离子体化学气相沉积)设备 | 1套 | ICPCVD(电感耦合等离子体化学气相沉积)是利用ICP等离子源,增加等离子浓度,以实现在较低的温度沉积高致密性介质薄膜,如SiO2, SiNx等,用于微纳器件的钝化、介电、填充等功能。主要用于低温沉积高致密性介质薄膜材料如SiO2,SiNx等用于微纳器件,微纳光学器件,功率器件的钝化层、介电层等。 |
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